Транзистор TIM5964-80SL
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 6GHZ, 187W
| Мин.отпуск (шт) | 2 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Тип транзистора: HFET Технология: GaAs Рабочая частота: 5.9 GHz to 6.4 GHz Усиление: 7 dB Vds - напряжение пробоя сток-исток: 15 V Vds - напряжение пробоя затвор-исток: - 5 V Id - непрерывный ток утечки: 38 A Максимальная рабочая температура: + 175 C Pd - рассеивание мощности: 250 W Вид монтажа: Screw Mount Конфигурация: Single Высота: 5.5 mm Длина: 17.4 mm Продукт: RF JFET |
| Производитель(бренд) | Toshiba |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.