Транзистор SQ201

Транзистор SQ201
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 4004 шт.
5 744,99 ₽
+
-

Категории: Диоды, транзисторы

радиочастотный транзистор с частотой от 1 до 1000 МГц, мощностью 39 дБм, мощностью (Вт) 8 Вт, коэффициентом усиления по мощности (Gp) 10 дБ, КСВН 20,0:1. Метки: Фланцевый. Polyfet RF Devices

  • Transistor Type VDMOS
  • Technology Si
  • Application Industry Aerospace & Defence, Broadcast, Wireless Infrastructure
  • Application Radio, Cellular, Base Station, MRI Systems
  • Frequency 1 to 1000 MHz
  • Power 39 dBm
  • Power(W) 8 W
  • Power Gain (Gp) 10 dB
  • Transconductance 0.3 MOhms
  • VSWR 20.0:1
  • Drain Gate Voltage 70 V
  • Breakdown Voltage - Drain-Source 65 V
  • Voltage - Drain-Source (Vdss) 28 V
  • Voltage - Gate-Source (Vgs) 30 V
  • Drain Efficiency 0.45
  • Drain Current 1.8 A
  • Drain Bias Current 0.2 mA
  • Quiescent Drain Current 0.2 A
  • Gate Leakage Current (Ig) 1 uA
  • Power Dissipation (Pdiss) 30 W
  • Feedback Capacitance 0.6 pF
  • Input Capacitance 10 pF
  • Junction Temperature (Tj) 200 Degree C
  • Output Capacitance 6 pF
  • Thermal Resistance 7 Degree C/W
  • Package Type Flanged
  • RoHS Yes
  • Storage Temperature -65 to 150 Degree C

УпаковкаTape&Reel - лента на катушке
Мин.отпуск (шт)1
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеPOLYFET
Производитель(бренд)CHINA

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

- по счету от юридического лица с НДС

- от физического лица переводом на карту.