Транзистор BSC016N06NS
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Tube (stick) - туба (линейка, пенал) |
| Тип корпуса | Корпус TDSON-8 |
| Продажа от (шт) | 1 |
| Вес | 0.15 г |
| Срок поставки | Под заказ |
| Поставщик | CHINA |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) серии OptiMOS компании Infineon Technologies, оптимизированный для синхронного выпрямления и управления питанием, обладает экстремально низким сопротивлением в открытом состоянии и рассчитан на высокие токи, что делает его популярным в DC/DC преобразователях и электроинструментах.
Технические характеристики:
- Тип канала: N-канальный.
- Максимальное напряжение сток-исток 60В
- Максимальный ток стока до 225 А – 234 А
- При использовании на печатной плате без интенсивного охлаждения ток ограничен 30 А.
- Корпус: PG-TDSON-8 (также известен как SuperSO8)
- Рабочая температура: до +175 °C
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор SIHG47N60EF-ge3
SIHG47N60EF-GE3 квозной N-канальный МОП-транзистор TO-247AC-3 от Vishay - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 600 В и максимальным напряжением затвор-исток 30 В.
325,99 ₽
Транзистор KGT15N120KDA
KGT15N120KDA это дискретный N-канальный IGBT-транзистор со встроенным быстродействующим антипараллельным диодом (Co-pack), выпускаемый южнокорейской компанией KEC (Korea Electronics). Он является менее мощной версией транзистора KGT25N120KDA, изготовлен по той же технологии NPT Trench (канавочный затвор) и оптимизирован для минимизации коммутационных потерь при работе на высоких частотах
269,99 ₽
Транзистор 2SB778
2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
269,99 ₽