Транзистор BSC028N06NSATMA1
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
| Упаковка | Cut Tape - отрезная лента |
| Информация | Active (Part Status) - Активная |
| Тип корпуса | TDSON-8 |
| Мин.отпуск (шт) | 2 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Product Category: MOSFET RoHS: Details Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: TDSON-8 Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 100 A Rds On - Drain-Source Resistance: 2.5 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.1 V Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 49 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Configuration: Single Pd - Power Dissipation: 83 W Channel Mode: Enhancement Qualification: AEC-Q100 Tradename: OptiMOS Packaging: Cut Tape Packaging: MouseReel Packaging: Reel Height: 1.27 mm Length: 5.9 mm Product: OptiMOS Power Series: OptiMOS 5 Transistor Type: 1 N-Channel Type: OptiMOS Power Transistor Width: 5.15 mm Brand: Infineon Technologies Forward Transconductance - Min: 50 S Fall Time: 8 ns Rise Time: 38 ns Factory Pack Quantity: 5000 Typical Turn-Off Delay Time: 19 ns Typical Turn-On Delay Time: 11 ns Part # Aliases: BSC028N06NS BSC28N6NSXT SP000917416 |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.