Транзистор BSC028N06NSATMA1

Транзистор BSC028N06NSATMA1
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 100 шт
Цена: 95,99 ₽

Категории: Полупроводники, Транзисторы

УпаковкаCut Tape - отрезная лента
ИнформацияActive (Part Status) - Активная
Продажа от (шт)2
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеProduct Category: MOSFET RoHS: Details Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: TDSON-8 Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 100 A Rds On - Drain-Source Resistance: 2.5 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.1 V Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 49 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Configuration: Single Pd - Power Dissipation: 83 W Channel Mode: Enhancement Qualification: AEC-Q100 Tradename: OptiMOS Packaging: Cut Tape Packaging: MouseReel Packaging: Reel Height: 1.27 mm Length: 5.9 mm Product: OptiMOS Power Series: OptiMOS 5 Transistor Type: 1 N-Channel Type: OptiMOS Power Transistor Width: 5.15 mm Brand: Infineon Technologies Forward Transconductance - Min: 50 S Fall Time: 8 ns Rise Time: 38 ns Factory Pack Quantity: 5000 Typical Turn-Off Delay Time: 19 ns Typical Turn-On Delay Time: 11 ns Part # Aliases: BSC028N06NS BSC28N6NSXT SP000917416
ПоставщикCHINA
ПроизводительInfineon Technologies (IR)

MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

Рекомендуем посмотреть

транзистор FMH23N50E

FMH23N50E Транзистор, N-MOSFET, 500В, 23А, 315Вт, 0.245Ом [TO-3P.]

240,99 ₽ 

транзистор 2SB778

2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]

272,99 ₽ 

SUM45N25-58-E3

SUM45N25-58-E3 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

1 480,99 ₽ 

BLP15M9S100GZ RF MOSFET Transistors BLP15M9S100G/TO270/REEL

3 725,99 ₽ 

MG200HF12TLC2 это мощный промышленный полумостовой IGBT-модуль (на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором), выпускаемый крупными полупроводниковыми производителями, такими как Yangzhou Yangjie Electronic (YJ) и SUNCO.Данный модуль сконструирован по современной технологии Trench Field-Stop, которая минимизирует потери энергии и тепла, и предназначен для жестких режимов работы в инверторах приводов электродвигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП/UPS), сервоусилителях и мощных сварочных аппаратах

5 713,99 ₽