Транзистор BSM150GB60DLC
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Cardboard - коробка |
| Продажа от (шт) | 1 |
| Вес | 180 г |
| Срок поставки | Под заказ |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
BSM150GB60DLC Транзистор: IGBT MOD 600V 180A 595W, силовой IGBT-модуль (полумост) производства компании Infineon Technologies (ранее выпускался под брендом Siemens/Eupec)
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор IRG4PC40UDPBF
IRG4PC40UDPBF Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz
4 071,99 ₽
Транзистор BSM10GD120DN2
BSM10GD120DN2 IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation Pd:80W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:EconoPACK; No. of Pins:17Pins; Operating Temperature Max:125°C; Product Range:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Ic Continuous a Max:15A; Current Temperature:80°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Module Configuration:Six; No. of Transistors:6; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Power Dissipation Max:80W; Pulsed Current Icm:30A; Termination Type:Solder; Voltage Vce Sat Typ:2.7V; Voltage Vces:1.2kV
4 265,99 ₽