Модуль BSM150GT120DN2
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
| Упаковка | Bulk - россыпь |
| Информация | Obsolete (Discontinued) - Устаревшая, снятая с производства |
| Продажа от (шт) | 1 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 200 A Ток утечки затвор-эмиттер: 320 nA Pd - рассеивание мощности: 1.25 kW Упаковка / блок: EconoPACK 3A Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Высота: 17 mm Длина: 121.5 mm |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A TRIPACK
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Модуль DDB6U145N16LHOSA1
DDB6U145N16LHOSA1 диодный модуль, производитель: Infineon Technologies Diode Modules 1600V 145A UN-CNTL
37 862,99 ₽
Модуль FZ1200R16KF4-S1
FZ1200R16KF4-S1 модуль Infineon Technologies IGBT Modules 1600V 1200A SINGLE
35 151,99 ₽
Модуль BSM50GD120DN2
BSM50GD120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE
34 936,99 ₽