Модуль BSM150GT120DN2

Нажмите на изображение для просмотра

Упаковка	Bulk - россыпь
Информация	Obsolete (Discontinued) - Устаревшая, снятая с производства
Продажа от (шт)	1
Вес	0.3 кг
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 200 A Ток утечки затвор-эмиттер: 320 nA Pd - рассеивание мощности: 1.25 kW Упаковка / блок: EconoPACK 3A Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Высота: 17 mm Длина: 121.5 mm
Производитель	Infineon Technologies (IR)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A TRIPACK

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.