Модуль BSM150GB120DN2

Модуль BSM150GB120DN2
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 1198 шт
7 679,99 ₽

Категории: Модули, источники питания

УпаковкаBulk - россыпь
Продажа от (шт)1
Срок поставкиПод заказ
ПроизводительInfineon Technologies (IR)

Купить Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL из наличия можно добавив товар в корзину.

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

Рекомендуем посмотреть

BSM25GD120DN2E3224

Модуль BSM25GD120DN2E3224

BSM25GD120DN2E3224 МОДУЛЬ BSM25GD120DN2E3224BOSA1, Infineon

7 679,99 ₽ 

PEF22628EV1.1

Модуль PEF22628EV1.1

PEF22628EV1.1 модуль Infineon SHDSL BGA

7 854,99 ₽ 

BSM35GB120DLC

Модуль BSM35GB120DLC

BSM35GB120DLC полумостовой IGBT-модуль от Infineon, разработанный с использованием технологий Trench и Fieldstop IGBT3, производитель: Infineon

7 854,99 ₽ 

FP50R12KE3

Модуль FP50R12KE3

FP50R12KE3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM

7 924,99 ₽ 

FP50R12KT3

Модуль FP50R12KT3

FP50R12KT3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A

8 290,99 ₽