Модуль BSM50GD120DN2
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
| Упаковка | Bulk - россыпь |
| Информация | NRND (Not recommended for new designs) - устаревшая, не рекомендуется для новых разработок |
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 72 A Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA Pd - рассеивание мощности: 350 W Упаковка / блок: EconoPACK 2A Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 150 C |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Модуль FZ1200R16KF4-S1
FZ1200R16KF4-S1 модуль Infineon Technologies IGBT Modules 1600V 1200A SINGLE
35 649,99 ₽
Модуль FS450R12KE3
FS450R12KE3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE
33 162,99 ₽