Режим работы:
пн-чт - с 10:00 до 17:00
пт - с 10:00 до 16:00

Модуль BSM50GD120DN2

Нажмите на изображение для просмотра

Упаковка	Bulk - россыпь
Информация	NRND (Not recommended for new designs) - устаревшая, не рекомендуется для новых разработок
Продажа от (шт)	10
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 72 A Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA Pd - рассеивание мощности: 350 W Упаковка / блок: EconoPACK 2A Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 150 C
Производитель	Infineon Technologies (IR)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.