Транзистор BSZ086P03NS3EG
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Продажа от (шт) | 100 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: TSDSON-8 Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous Drain Current: 40 A Rds On - Drain-Source Resistance: 6.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 25 V, + 25 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.1 V Qg - Gate Charge: 57.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор 2SB778
2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
278,99 ₽
Транзистор MG200HF12TLC2
MG200HF12TLC2 это мощный промышленный полумостовой IGBT-модуль (на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором), выпускаемый крупными полупроводниковыми производителями, такими как Yangzhou Yangjie Electronic (YJ) и SUNCO.Данный модуль сконструирован по современной технологии Trench Field-Stop, которая минимизирует потери энергии и тепла, и предназначен для жестких режимов работы в инверторах приводов электродвигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП/UPS), сервоусилителях и мощных сварочных аппаратах
5 828,99 ₽