Транзистор BSZ086P03NS3EG
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Продажа от (шт) | 100 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: TSDSON-8 Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous Drain Current: 40 A Rds On - Drain-Source Resistance: 6.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 25 V, + 25 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.1 V Qg - Gate Charge: 57.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

