Транзистор C3M0280090D

Транзистор C3M0280090D
Нажмите на изображение для просмотра
Доступно 600 шт
1 337,99 ₽

Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы

Тип корпусаTO-247
Продажа от (шт)10
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеTechnology: SiC Mounting Style: Through Hole Package/Case: TO-247-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 900 V Id - Continuous Drain Current: 11.5 A Rds On - Drain-Source Resistance: 280 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 19 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.1 V Qg - Gate Charge: 9.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
ПроизводительCree

MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.