Транзистор CGHV96100F2

Транзистор CGHV96100F2
Нажмите на изображение для просмотра
Доступно 22 шт
Цена по запросу

Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы

Тип корпусаSMD
Продажа от (шт)10
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеTransistor Type: HEMT Technology: GaN Operating Frequency: 7.9 GHz to 9.6 GHz Gain: 12.4 dB Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 10 V to 2 V Id - Continuous Drain Current: 12 A Output Power: 131 W Maximum Drain Gate Voltage: - Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
ПроизводительCree

RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.