Транзистор CLF1G0060S-10
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Broadband RF power GaN HEMT
| Упаковка | Tube (stick) - линейка (туба, пенал) |
| Информация | End of Life: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства |
| Мин.отпуск (шт) | 2 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Технология: GaN-on-Si Рабочая частота: 3.5 GHz Усиление: 14.5 dB Полярность транзистора: N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 150 V Vds - напряжение пробоя затвор-исток: 3 V Id - непрерывный ток утечки: 1.7 A Минимальная рабочая температура: - 65 C |
| Производитель(бренд) | NXP Semiconductors |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор BLS6G2933S
BLS6G2933S 130 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.9 GHz to 3.3 GHz frequency range.
67 274,99 ₽