Микросхема DMN2011UFDE-7
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Микросхемы
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
| Мин.отпуск (шт) | 100 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Package/Case: DFN-2020-6 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Id - Continuous Drain Current: 11.7 A Rds On - Drain-Source Resistance: 15 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V Qg - Gate Charge: 56 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Pd - Power Dissipation: 1.97 W Channel Mode: Enhancement |
| Производитель(бренд) | Diodes Incorporated |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Покупатели, которые приобрели Микросхема DMN2011UFDE-7, также купили
Микросхема DM74ALS245ASJX
DM74ALS245ASJX микросхема SOP Bus Transceiver, ALS Series, 1-Func, 8-Bit, True Output, TTL, PDSO20
Цена по запросу
Микросхема AT25M01-SSHM-T
AT25M01-SSHM-T Микросхема EEPROM 1.7-5.5V, 20MHz, Ind Temp, 8-SOIC-N, производитель Microchip Technology
4 721,99 ₽