Микросхема DMN2011UFDE-7

Микросхема DMN2011UFDE-7
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 3000 шт
Цена по запросу

Категории: Микросхемы

Продажа от (шт)100
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеPackage/Case: DFN-2020-6 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Id - Continuous Drain Current: 11.7 A Rds On - Drain-Source Resistance: 15 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V Qg - Gate Charge: 56 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Pd - Power Dissipation: 1.97 W Channel Mode: Enhancement
ПроизводительDiodes Incorporated

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.