Транзистор FF1400R12IP4
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Cardboard - коробка |
| Продажа от (шт) | 1 |
| Вес | 1.2 кг |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Brand: Infineon Technologies Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.05 V Configuration: Dual Continuous Collector Current at 25 C: 1400 A Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2 Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA Manufacturer: Infineon Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V Maximum Operating Temperature: +150 C Minimum Operating Temperature: -40 C Mounting Style: Chassis Mount Package/Case: PRIME3 Packaging: Tray Part # Aliases: FF1400R12IP4BOSA1 SP000609758 FF1400R12IP4BOSA1 Pd - Power Dissipation: 7.65 kW Product Category: IGBT Modules Product Type: IGBT Modules Product: IGBT Silicon Modules Series: Trench/Fieldstop IGBT4-P4 Subcategory: IGBTs Technology: Si Tradename: PrimePACK Channel Type N Configuration Series Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V Maximum Continuous Collector Current 1.4 kA Maximum Gate Emitter Voltage ±20V Maximum Operating Temperature +150 °C Maximum Power Dissipation 7.65 kW Minimum Operating Temperature -40 °C Mounting Type Panel Mount Package Type AG-PRIME3-1 |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
FF1400R12IP4 транзистор, мощный силовой IGBT-модуль FF1400R12IP4 (Infineon/Eupec, 1400А, 1200В), IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.