Модуль FF150R12KS4
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
| Упаковка | Tray (Pallete) - паллет |
| Мин.отпуск (шт) | 100 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Dual Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3.2 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 225 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 1.25 kW Упаковка / блок: 62 mm Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 125 C Упаковка: Tray |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Рекомендуем посмотреть
Модуль FF450R06ME3
FF450R06ME3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 550A
16 767,99 ₽
Модуль FP75R12KE3
FP75R12KE3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A PIM
17 046,99 ₽
Модуль FS150R06KE3
FS150R06KE3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V
15 649,99 ₽