Транзистор BLS2731-10

Нажмите на изображение для просмотра

Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы

Описание
Доставка

Упаковка	Bulk - россыпь
Информация	Obsolete (Discontinued) - Устаревшая, снятая с производства
Продажа от (шт)	1
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	BLS2731-10.PDF Данный компонент является устаревшим, и его производство, было прекращено, но он все еще доступен к заказу
Производитель	NXP Semiconductors

Транзистор, мощный биполярный СВЧ-транзистор (RF Bipolar Transistor) NPN-типа, разработанный для использования в импульсных усилителях мощности СВЧ-диапазона

Основные характеристики и применение:

Производитель: Изначально Philips Semiconductors, в настоящее время Ampleon (подразделение, выделившееся из NXP Semiconductors).

Применение: Предназначен для использования в импульсных усилителях мощности класса C с общей базой для радиолокационных систем (радаров), работающих в диапазоне частот от 2,7 до 3,1 ГГц.

Тип транзистора: NPN, планарный эпитаксиальный.

Напряжение коллектор-эмиттер (макс.): 75 В.

Мощность (макс.): 145 Вт.

Коэффициент усиления: Обычно 10 дБ.

Особенности:

Внутренние согласующие цепи на входе и выходе для упрощения проектирования схемы.

Резисторы балластировки эмиттера для повышения устойчивости.

Золотая металлизация для обеспечения превосходной надежности.

Содержит оксид бериллия (BeO), который безопасен при условии целостности компонента, но требует особых мер предосторожности при утилизации.

Корпус: Обычно поставляется в 2-выводном прямоугольном фланцевом корпусе с керамическим колпачком (SOT423A) с общим основанием, подключенным к фланц