Модуль FS450R12KE3
Категории: Дискретные полупроводники, Модули
| Упаковка | Bulk - россыпь |
| Информация | NRND (Not recommended for new designs) - устаревшая, не рекомендуется для новых разработок |
| Продажа от (шт) | 1 |
| Вес | 1 кг |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | IGBT Modules |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Модуль FZ1200R17KF6C_B2
FZ1200R17KF6C_B2 1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2.ten Generation und softer Emitter Controlled Diode. 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation
31 533,99 ₽
Модуль BSM50GD120DN2
BSM50GD120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE
34 790,99 ₽
Модуль FZ1200R16KF4-S1
FZ1200R16KF4-S1 модуль Infineon Technologies IGBT Modules 1600V 1200A SINGLE
35 004,99 ₽

