Модуль FS75R12KE3
Категории: Модули, источники питания
| Упаковка | Bulk - россыпь |
| Продажа от (шт) | 1 |
| Вес | 300 г |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 105 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 350 W Упаковка / блок: EconoPACK 2 Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 125 C |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Модуль 6SL33J3-3AG38-8CA0
6SL33J3‑3AG38‑8CA0 — это модуль (силовой блок) из приводной системы SINAMICS S120 производства Siemens.
89 068,99 ₽
Модуль PM50RLA120
PM50RLA120 Силовой модуль-драйвер: напряжение 1,2 кВ, изоляционное напряжение 2500 В пост., корпус модуль питания, монтаж на шасси, тип IGBT, сила тока 50 А
11 256,99 ₽
Модуль PM75RLA120
PM75RLA120 Силовой модуль-драйвер: напряжение 1,2 кВ, изоляционное напряжение 2500 В пост., корпус модуль питания, монтаж на шасси, тип IGBT, сила тока 75 А
11 256,99 ₽
Модуль dvp06xa-s2.4ai.2ao
DVP06XA-S2.4AI.2AO Модуль аналогового входа 4AI, 2 Route AO,12bit, 24V DC Power, RS485
19 621,99 ₽