Модуль FZ1200R12KL4C
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
| Информация | End of Life: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства |
| Продажа от (шт) | 2 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Dual Common Emitter Common Gate Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 1900 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 7.8 kW Упаковка / блок: IHM130 Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 125 C Упаковка: Tray Высота: 38 mm Длина: 140 mm |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A SINGLE
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Модуль FS35R12KT3BOSA1
FS35R12KT3BOSA1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO
24 556,99 ₽
Модуль FS820R08A6P2LB
FS820R08A6P2LB промышленности модуль sixpack IGBT EDT 2 в корпусе привода Hybrid PACK™ для применения в автомобилях напряжением до 750В и 820А, производитель: INFINEON
24 205,99 ₽
Модуль TT162N14KOF
TT162N14KOF Диодно-тиристорный модуль Производитель: Infineon Technologies
25 931,99 ₽