Режим работы:
пн-чт - с 10:00 до 17:00
пт - с 10:00 до 16:00

Модуль FZ1200R12KL4C

Нажмите на изображение для просмотра

Информация	End of Life: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства
Продажа от (шт)	2
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Dual Common Emitter Common Gate Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 1900 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 7.8 kW Упаковка / блок: IHM130 Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 125 C Упаковка: Tray Высота: 38 mm Длина: 140 mm
Производитель	Infineon Technologies (IR)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A SINGLE

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.