Модуль FZ3600R17KE3
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
| Информация | End of Life: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства |
| Продажа от (шт) | 2 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Triple Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1700 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 4800 A Упаковка / блок: IHM190 Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 125 C Высота: 38 mm Длина: 190 mm Технология: Si Ширина: 140 mm Торговая марка: Infineon Technologies |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 4.8KA
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Модуль FZ1200R16KF4-S1
FZ1200R16KF4-S1 модуль Infineon Technologies IGBT Modules 1600V 1200A SINGLE
35 649,99 ₽
Модуль BSM50GD120DN2
BSM50GD120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE
35 431,99 ₽
Модуль FS450R12KE3
FS450R12KE3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE
33 162,99 ₽