Транзистор IPB020N10N5

Транзистор IPB020N10N5
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 3000 шт
Цена по запросу

Категории: Полупроводники, Транзисторы

Продажа от (шт)100
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеMounting Style: SMD/SMT Package/Case: TO-263-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 120 A Rds On - Drain-Source Resistance: 1.7 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.2 V Qg - Gate Charge: 210 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C Pd - Power Dissipation: 375 W Channel Mode: Enhancement
ПроизводительInfineon Technologies (IR)

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.