Транзистор IPB180N10S4-02

Транзистор IPB180N10S4-02
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 16143 шт
Цена по запросу

Категории: Полупроводники, Транзисторы

Продажа от (шт)100
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеTechnology: Si Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: TO-263-7 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 180 A Rds On - Drain-Source Resistance: 2.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 156 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
ПроизводительInfineon Technologies (IR)

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.