Транзистор IPB60R099CPAATMA1

Транзистор IPB60R099CPAATMA1
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 11998 шт
Цена по запросу

Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы

Продажа от (шт)100
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеTechnology: Si Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: TO-263-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V Id - Continuous Drain Current: 31 A Rds On - Drain-Source Resistance: 90 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V Qg - Gate Charge: 80 nC Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
ПроизводительInfineon Technologies (IR)

MOSFET N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.