Транзистор IPD30N10S3L-34

Транзистор IPD30N10S3L-34
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 5000 шт
Цена по запросу

Категории: Полупроводники, Транзисторы

Продажа от (шт)100
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеMounting Style: SMD/SMT Package/Case: TO-252-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 30 A Rds On - Drain-Source Resistance: 31 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V Qg - Gate Charge: 24 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C Pd - Power Dissipation: 57 W
ПроизводительInfineon Technologies (IR)

MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.