Транзистор IPD50N04S4L-08

Транзистор IPD50N04S4L-08
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 30000 шт
Цена: по запросу

Категории: Полупроводники, Транзисторы

Продажа от (шт)100
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеTechnology: Si Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: TO-252-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V Id - Continuous Drain Current: 50 A Rds On - Drain-Source Resistance: 6.2 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 16 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V Qg - Gate Charge: 30 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
ПроизводительInfineon Technologies (IR)

MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

Рекомендуем посмотреть

транзистор FMH23N50E

FMH23N50E Транзистор, N-MOSFET, 500В, 23А, 315Вт, 0.245Ом [TO-3P.]

243,99 ₽ 

транзистор 2SB778

2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]

276,99 ₽ 

SUM45N25-58-E3

SUM45N25-58-E3 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

1 501,99 ₽ 

BLP15M9S100GZ RF MOSFET Transistors BLP15M9S100G/TO270/REEL

3 777,99 ₽ 

MG200HF12TLC2 это мощный промышленный полумостовой IGBT-модуль (на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором), выпускаемый крупными полупроводниковыми производителями, такими как Yangzhou Yangjie Electronic (YJ) и SUNCO.Данный модуль сконструирован по современной технологии Trench Field-Stop, которая минимизирует потери энергии и тепла, и предназначен для жестких режимов работы в инверторах приводов электродвигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП/UPS), сервоусилителях и мощных сварочных аппаратах

5 793,99 ₽