Транзистор IPD50P03P4L-11
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Продажа от (шт) | 100 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: TO-252-3 Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous Drain Current: 50 A Rds On - Drain-Source Resistance: 10.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 16 V, + 5 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 42 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C Pd - Power Dissipation: 58 W |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
MOSFET P-Ch -30V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

