Микросхема IPP032N06N3G
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Микросхемы
MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3
| Мин.отпуск (шт) | 100 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package/Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 120 A Rds On - Drain-Source Resistance: 2.6 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V Qg - Gate Charge: 124 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Покупатели, которые приобрели Микросхема IPP032N06N3G, также купили
Микросхема ADUM4160BRWZ-RL
Analog Devices. Под заказ. Доставка по всей России из СПб, Санкт-Петербурга
Цена по запросу
Микросхема HEF4011BP.652
HEF4011BP.652 Logic Circuit, Quad 2-Input NAND, CMOS, 14 Pin, Plastic, DIP
14,99 ₽