Микросхема IPP032N06N3G

Нажмите на изображение для просмотра

Продажа от (шт)	100
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package/Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 120 A Rds On - Drain-Source Resistance: 2.6 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V Qg - Gate Charge: 124 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Производитель	Infineon Technologies (IR)

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.