Транзистор IRF200P222

Транзистор IRF200P222
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 7600 шт
Цена по запросу

Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы

Тип корпусаTO-247-3
Продажа от (шт)100
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеMounting Style: Through Hole Package/Case: TO-247-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V Id - Continuous Drain Current: 182 A Rds On - Drain-Source Resistance: 6.6 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 203 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
ПроизводительInfineon Technologies (IR)

MOSFET IFX OPTIMOS

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.