Транзистор IRF640NPBF
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Тип корпуса | TO-220 |
| Продажа от (шт) | 100 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Mounting Style: Through Hole Package/Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V Id - Continuous Drain Current: 18 A Rds On - Drain-Source Resistance: 150 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 44.7 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор IPP230N06L3
IPP230N06L3 Power Field-Effect Transistor, 30A, 60V, 0.023ohm, N-Channel, MOSFET
28,99 ₽
