Транзистор IRF7413PBF
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Tube (stick) - туба (линейка, пенал) |
| Информация | End of Life: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства |
| Продажа от (шт) | 100 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Технические параметры Корпус SOIC-8 Нормоупаковка 95 шт. Тип упаковкиTube (туба) Напряжение исток-сток макс. 30 В Ток стока макс. 13 А Сопротивление открытого канала 11 мОм Мощность макс. 2.5 Вт Тип транзистора MOSFET N-канальный, металл-оксид ОсобенностиС логическим управлением Пороговое напряжение включения макс. 3 В Заряд затвора 79 нКл Входная емкость 1800 пФ Тип монтажа Поверхностный |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13 А, 2.5 Вт
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор 2SB778
2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
276,99 ₽
Транзистор MG200HF12TLC2
MG200HF12TLC2 это мощный промышленный полумостовой IGBT-модуль (на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором), выпускаемый крупными полупроводниковыми производителями, такими как Yangzhou Yangjie Electronic (YJ) и SUNCO.Данный модуль сконструирован по современной технологии Trench Field-Stop, которая минимизирует потери энергии и тепла, и предназначен для жестких режимов работы в инверторах приводов электродвигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП/UPS), сервоусилителях и мощных сварочных аппаратах
5 783,99 ₽