Транзистор IRF9328TRPBF

Нажмите на изображение для просмотра

Описание
Доставка

Продажа от (шт)	10
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: SOIC-8 Полярность транзистора: P-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V Id - непрерывный ток утечки: 12 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 16.1 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.8 V Qg - заряд затвора: 18 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 150 C
Поставщик	Россия
Производитель	Infineon Technologies (IR)

MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC, 2.5W

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

Рекомендуем посмотреть

Транзистор SIHG30N60E

SIHG30N60E Транзистор N-MOSFET 600В 29А 250Вт [TO-247AC]

180,99 ₽

Транзистор SIHG47N60EF-ge3

SIHG47N60EF-GE3 квозной N-канальный МОП-транзистор TO-247AC-3 от Vishay - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 600 В и максимальным напряжением затвор-исток 30 В.

325,99 ₽

KGT15N120KDA это дискретный N-канальный IGBT-транзистор со встроенным быстродействующим антипараллельным диодом (Co-pack), выпускаемый южнокорейской компанией KEC (Korea Electronics). Он является менее мощной версией транзистора KGT25N120KDA, изготовлен по той же технологии NPT Trench (канавочный затвор) и оптимизирован для минимизации коммутационных потерь при работе на высоких частотах

269,99 ₽