Транзистор IRFB17N50L

Транзистор IRFB17N50L
Нажмите на изображение для просмотра
Доступно 200 шт
Цена по запросу

Категории: Полупроводники, Транзисторы

Продажа от (шт)10
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеTechnology: Si Mounting Style: Through Hole Package/Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V Id - Continuous Drain Current: 16 A Rds On - Drain-Source Resistance: 320 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V Qg - Gate Charge: 130 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Pd - Power Dissipation: 200 W
ПроизводительVishay

MOSFET 500V N-CH HEXFET

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.