Транзистор IRFB17N50L
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package/Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V Id - Continuous Drain Current: 16 A Rds On - Drain-Source Resistance: 320 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V Qg - Gate Charge: 130 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Pd - Power Dissipation: 200 W |
| Поставщик | CHINA |
| Производитель | Vishay |
MOSFET 500V N-CH HEXFET
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор KGT15N120KDA
KGT15N120KDA это дискретный N-канальный IGBT-транзистор со встроенным быстродействующим антипараллельным диодом (Co-pack), выпускаемый южнокорейской компанией KEC (Korea Electronics). Он является менее мощной версией транзистора KGT25N120KDA, изготовлен по той же технологии NPT Trench (канавочный затвор) и оптимизирован для минимизации коммутационных потерь при работе на высоких частотах
269,99 ₽
Транзистор 2SB778
2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
269,99 ₽