Транзистор IRFB4227PBF
Категории: Диоды, транзисторы
MOSFET N-ch 200V/130A/330W/19.7 mOhm
Упаковка | Tube (stick) - линейка (туба, пенал) |
Тип корпуса | TO-220 |
Мин.отпуск (шт) | 10 |
Срок поставки | Под заказ |
Техническое описание | Технология: Si Вид монтажа: Through Hole Упаковка / блок: TO-220-3 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V Id - непрерывный ток утечки: 65 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 24 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.8 V Qg - заряд затвора: 70 nC Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 175 C Pd - рассеивание мощности: 330 W Канальный режим: Enhancement Упаковка: Tube |
Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.