Транзистор IRFB4227PBF

Нажмите на изображение для просмотра

Упаковка	Tube (stick) - туба (линейка, пенал)
Продажа от (шт)	10
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Технология: Si Вид монтажа: Through Hole Упаковка / блок: TO-220-3 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V Id - непрерывный ток утечки: 65 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 24 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.8 V Qg - заряд затвора: 70 nC Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 175 C Pd - рассеивание мощности: 330 W Канальный режим: Enhancement Упаковка: Tube
Производитель	Infineon Technologies (IR)

MOSFET N-ch 200V/130A/330W/19.7 mOhm

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.