Транзистор IRFR120NPBF
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Tube (stick) - линейка (туба, пенал) |
| Информация | Obsolete (Discontinued) - Устаревшая, снятая с производства |
| Тип корпуса | TO-252-3 |
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: TO-252-3 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V Id - непрерывный ток утечки: 9.1 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 210 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Qg - заряд затвора: 16.7 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 175 C Pd - рассеивание мощности: 39 W Канальный режим: Enhancement |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.7 А, 42 Вт, 0.27 Ом
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.