Транзистор IRFR120ZPBF
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Информация | End of Life: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства |
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: TO-252-3 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V Id - непрерывный ток утечки: 8.7 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 190 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Qg - заряд затвора: 6.9 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 175 C Pd - рассеивание мощности: 35 W |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 8.7 А, 35 Вт
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор 2SB778
2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
276,99 ₽
Транзистор MG200HF12TLC2
MG200HF12TLC2 это мощный промышленный полумостовой IGBT-модуль (на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором), выпускаемый крупными полупроводниковыми производителями, такими как Yangzhou Yangjie Electronic (YJ) и SUNCO.Данный модуль сконструирован по современной технологии Trench Field-Stop, которая минимизирует потери энергии и тепла, и предназначен для жестких режимов работы в инверторах приводов электродвигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП/UPS), сервоусилителях и мощных сварочных аппаратах
5 779,99 ₽