Транзистор IRFR3707ZPBF
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Тип корпуса | TO-252 |
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 56 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0095 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50 Крутизна характеристики, S 71 Корпус DPAK(2 Leads+Tab) Вес, г 0.4 |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
IRFR3707ZPBF, Транзистор, N-канал 30В 56А [D-PAK]
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор IRF7351PBF
IRF7351PBF MOSFET, DUAL N CH, 60V, 8A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0137ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
135,99 ₽