Транзистор IRLD014
Категории: Диоды, транзисторы
МОП-транзистор
MOSFET, N, LOGIC, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:1.3W; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Operating Temperature Min:-55°C; Pulse Current Idm:14A; Voltage Vgs Max:10V
| Мин.отпуск (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Id - непрерывный ток утечки 1.7 A Pd - рассеивание мощности 1.3 W Rds Вкл - сопротивление сток-исток 200 mOhms RoHS Подробности Vds - напряжение пробоя затвор-исток 10 V Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V Вид монтажа Through Hole Время нарастания 110 ns Время спада 110 ns Канальный режим Enhancement Категория продукта МОП-транзистор Конфигурация Single Dual Drain Максимальная рабочая температура +150 C Минимальная рабочая температура -55 C Полярность транзистора N-Channel Производитель Vishay Размер фабричной упаковки 2500 Типичное время задержки выключения 17 ns Торговая марка Vishay/Siliconix Упаковка Tube Упаковка / блок HexDIP-4 Qg - заряд затвора 8.4 nC Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V Количество каналов 1 Channel Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 1.9 S Подкатегория MOSFETs Технология Si Тип продукта MOSFET Тип транзистора 1 N-Channel Типичное время задержки при включении 9.3 ns Channel Mode Enhancement Channel Type N Maximum Continuous Drain Current 1.7 A Maximum Drain Source Resistance 200 mΩ Maximum Drain Source Voltage 60 V Maximum Gate Source Voltage -10 V, +10 V Maximum Operating Temperature +175 °C Maximum Power Dissipation 1.3 W Minimum Gate Threshold Voltage 1V Minimum Operating Temperature -55 °C Mounting Type Through Hole Number of Elements per Chip 1 Package Type HVMDIP Pin Count 4 Transistor Configuration Single Transistor Material Si Typical Gate Charge @ Vgs 8.4 nC @ 5 V Width 6.29mm Вес, г 0.57 |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.