Транзистор QPD1025L
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Tray (Pallete) - паллет |
| Тип корпуса | NI-1230-4 |
| Продажа от (шт) | 2 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Тип транзистора: HEMT Технология: GaN-on-SiC Рабочая частота: 1 GHz to 1.1 GHz Усиление: 22.9 dB Id - непрерывный ток утечки: 28 A Выходная мощность: 1.5 kW Максимальное напряжение сток-затвор: 225 V Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 85 C Pd - рассеивание мощности: 758 W Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: NI-1230-4 Упаковка: Tray |
| Производитель | Qorvo(TriQuint,RFMD) |
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.