Транзистор QPD1025L

Транзистор QPD1025L
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 26 шт.
132,99 Р

Категории: Диоды, транзисторы

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V

УпаковкаTray (Pallete) - паллет
Тип корпусаNI-1230-4
Мин.отпуск (шт)2
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеТип транзистора: HEMT Технология: GaN-on-SiC Рабочая частота: 1 GHz to 1.1 GHz Усиление: 22.9 dB Id - непрерывный ток утечки: 28 A Выходная мощность: 1.5 kW Максимальное напряжение сток-затвор: 225 V Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 85 C Pd - рассеивание мощности: 758 W Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: NI-1230-4 Упаковка: Tray
Производитель(бренд)Qorvo (TriQuint/RFMD)

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

- по счету от юридического лица с НДС

- от физического лица переводом на карту.