Транзистор SPW55N80C3
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
транзистор MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3
| Упаковка | Tube (stick) - линейка,туба, пенал |
| Тип корпуса | TO-247-3 |
| Мин.отпуск (шт) | 2 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Product Category: MOSFET Technology: Si Mounting Style: Through Hole Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1000 V Id - Continuous Drain Current: 8.3 A Rds On - Drain-Source Resistance: 1.38 Ohms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V Vgs - Gate-Source Voltage: 10 V Qg - Gate Charge: 113 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Configuration: Single Pd - Power Dissipation: 230 W Channel Mode: Enhancement Packaging: Tube Height: 20.15 mm Length: 15.75 mm Series: N-channel MDmesh Transistor Type: 1 N-Channel Power MOSFET Type: MOSFET Width: 5.15 mm Brand: STMicroelectronics Forward Transconductance - Min: 9 S Fall Time: 55 ns Rise Time: 18 ns Factory Pack Quantity: 600 Typical Turn-Off Delay Time: 98 ns Typical Turn-On Delay Time: 27 ns |
| Производитель(бренд) | STMicroelectronics |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.