Транзистор SiR664DP-T1-GE3

Транзистор SiR664DP-T1-GE3
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 220 шт
Цена по запросу

Категории: Полупроводники, Транзисторы

УпаковкаTube (stick) - туба (линейка, пенал)
ИнформацияActive (Part Status) - Активная
Продажа от (шт)5
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеТехнология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: PowerPAK-SO-8 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V Id - непрерывный ток утечки: 60 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 6 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.3 V Qg - заряд затвора: 26 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Pd - рассеивание мощности: 50 W Канальный режим: Enhancement
ПроизводительVishay

МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.