Транзистор ZVN3306A

Нажмите на изображение для просмотра

ZVN3306A, Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line

Мин.отпуск (шт)	10
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 270 мА Тип корпуса E-Line Максимальное рассеяние мощности 0.625 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 2.41мм Высота 4.01мм Размеры 4.77 x 2.41 x 4.01мм Материал транзистора SI Количество элементов на ИС 1 Длина 4.77мм Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 5 нс Производитель DiodesZetex Типичное время задержки выключения 6 нс Минимальная рабочая температура -55 °C Maximum Gate Threshold Voltage 2.4V Максимальное сопротивление сток-исток 5 Ω Максимальное напряжение сток-исток 60 В Число контактов 3 Категория Малый сигнал Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 35 пФ при 18 В Тип канала N Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В Id - непрерывный ток утечки 270 mA Pd - рассеивание мощности 625 mW Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5 Ohms Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V Vgs - напряжение затвор-исток 10 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV Вид монтажа Through Hole Время нарастания 7 ns Время спада 8 ns Канальный режим Enhancement Категория продукта МОП-транзистор Количество каналов 1 Channel Конфигурация Single Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 150 mS Подкатегория MOSFETs Полярность транзистора N-Channel Продукт MOSFET Small Signal Размер фабричной упаковки 4000 Серия ZVN3306 Технология Si Тип FET Тип продукта MOSFET Тип транзистора 1 N-Channel Типичное время задержки при включении 5 ns Торговая марка Diodes Incorporated Упаковка Bulk Упаковка / блок TO-92-3 Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 270mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V ECCN EAR99 FET Type N-Channel HTSUS 8541.21.0095 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 35pF @ 18V Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Mounting Type Through Hole Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ) Package Bulk Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Power Dissipation (Max) 625mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V REACH Status REACH Unaffected RoHS Status ROHS3 Compliant Supplier Device Package TO-92-3 Technology MOSFET (Metal Oxide) Vgs (Max) В±20V Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Производитель(бренд)	Diodes Incorporated

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

- по счету от юридического лица с НДС

- от физического лица переводом на карту.