Режим работы:
пн-чт - с 10:00 до 17:00
пт - с 10:00 до 16:00

Транзистор ZXT690BKTC

Нажмите на изображение для просмотра

Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы

Описание
Доставка

Продажа от (шт)	10
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Collector-Emitter Breakdown Voltage 45V Maximum DC Collector Current 3A Pd - Power Dissipation 3.9W Transistor Type NPN Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 360 mV Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 150 MHz Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 мВ Длина 6.7мм Максимальное напряжение коллектор-база 60 В Transistor Configuration Одинарный Производитель DiodesZetex Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В Тип корпуса DPAK (TO-252) Максимальное рассеяние мощности 3,9 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Минимальная рабочая температура -55 °C Ширина 6.2мм Максимальный пост. ток коллектора 3 A Тип транзистора NPN Высота 2.39мм Число контактов 4 Размеры 6.7 x 6.2 x 2.39мм Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 60 Pd - рассеивание мощности 3900 mW Вид монтажа SMD/SMT Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 500 at 100 mA at 2 V, 400 at 1 A at 2 V, 150 at 2 Конфигурация Single Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 500 at 100 mA at 2 V Максимальный постоянный ток коллектора 3 A Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 240 mV Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V Непрерывный коллекторный ток 3 A Подкатегория Transistors Полярность транзистора NPN Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz Размер фабричной упаковки 2500 Серия ZXT690 Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors Торговая марка Diodes Incorporated Упаковка / блок DPAK-3 Base Product Number ZXT690B -> Current - Collector (Ic) (Max) 3A Current - Collector Cutoff (Max) 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 2A, 2V ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095 Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Mounting Type Surface Mount Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ) Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Power - Max 3.9W REACH Status REACH Affected RoHS Status ROHS3 Compliant Supplier Device Package TO-252-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 150mA, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V Brand DiodesZetex Конфигурация транзистора Одинарный Страна происхождения CN
Производитель	Diodes Incorporated

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные силовые транзисторы, Diodes Inc.

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.