Модуль BSM100GT120DN2
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Производитель: Infineon Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) RoHS: Нет Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 150 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Рассеяние мощности: 680 W Максимальная рабочая температура: + 150 C Упаковка / блок: EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V Вид монтажа: Screw — все права принадлежат Promelectrica.ru |
| Производитель | SEMIKRON |
BSM100GT120DN2 EUPEC - IGDT модуль
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.