Транзистор BSZ0503NSI
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: TSDSON-8 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V Id - непрерывный ток утечки: 82 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.5 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V Qg - заряд затвора: 15 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Pd - рассеивание мощности: 36 W |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
МОП-транзистор TRENCH <= 40V
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор 2SB778
2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
276,99 ₽
Транзистор MG200HF12TLC2
MG200HF12TLC2 это мощный промышленный полумостовой IGBT-модуль (на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором), выпускаемый крупными полупроводниковыми производителями, такими как Yangzhou Yangjie Electronic (YJ) и SUNCO.Данный модуль сконструирован по современной технологии Trench Field-Stop, которая минимизирует потери энергии и тепла, и предназначен для жестких режимов работы в инверторах приводов электродвигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП/UPS), сервоусилителях и мощных сварочных аппаратах
5 779,99 ₽