Транзистор CGHV1F025S
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
| Упаковка | Cut Tape - отрезная лента |
| Тип корпуса | DFN-12 |
| Мин.отпуск (шт) | 5 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Тип транзистора: HEMT Технология: GaN SiC Усиление: 11 dB Полярность транзистора: N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V Vds - напряжение пробоя затвор-исток: - 10 V to 2 V Id - непрерывный ток утечки: 2 A Выходная мощность: 25 W Максимальное напряжение сток-затвор: - Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Pd - рассеивание мощности: - Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: DFN-12 Упаковка: Cut Tape Упаковка: Reel Применение: - Конфигурация: Single Высота: 0.9 mm Длина: 4 mm Рабочая частота: 15 GHz Диапазон рабочих температур: - 40 C to + 150 C Продукт: GaN HEMT Тип: GaN SiC HEMT Ширина: 3 mm Торговая марка: Wolfspeed / Cree |
| Производитель(бренд) | Cree |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.